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2010_Pelaz_JVSTB_28.pdf.jpgSimulation of p-n junctions: Present and future challenges for technologies beyond 32 nmPelaz Montes, María Lourdes; Marqués Cuesta, Luis Alberto; Aboy Cebrián, María; Santos Tejido, Iván; López Martín, Pedro; Duffy, Ray2010application/pdf
Atomistic analysis of B clustering and mobility degradation in highly B-doped junctionsAboy Cebrián, María; Pelaz Montes, María Lourdes; López Martín, Pedro; Bruno, Elena; Mirabella, Salvo2010application/pdf
2010_Santos_PRB_81.pdf.jpgSelf-trapping in B-doped amorphous Si: Intrinsic origin of low acceptor efficiencySantos Tejido, Iván; Castrillo, P.; Windl, W.; Drabold, D. A.; Pelaz Montes, María Lourdes; Marqués Cuesta, Luis Alberto2010application/pdf
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