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Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem: http://uvadoc.uva.es/handle/10324/25376
Título: Tensile strain of epitaxial porous GaN grown by CVD determined by optical means
Autor: Mena, Josué
Carvajal, Joan Josep
Martínez, Oscar
Jiménez, Juan
Zubialevich, V.Z.
Parbrook, P.J.
Díaz, Francesc
Aguiló, Magdalena
Año del Documento: 2017
Editorial: Institute of Physics Publishing
Descripción: Producción Científica
Documento Fuente: Nanotechnology
Resumen: In this paper we study the optical properties of nanoporous gallium nitride (GaN) epitaxial layers grown by chemical vapour deposition on non-porous GaN substrates, using photoluminescence, cathodoluminescence, and resonant Raman scattering, and correlate them with the structural characteristic of these films. We pay special attention to the analysis of the residual strain of the layers and the influence of the porosity in the light extraction. The nanoporous GaN epitaxial layers are under tensile strain, although the strain is progressively reduced as the deposition time and the thickness of the porous layer increases, becoming nearly strain free for a thickness of 1.7 μm. The analysis of the experimental data point to the existence of vacancy complexes as the main source of the tensile strain.
Palabras Clave: GaN, porous materials, structural stress, optical characterisation
ISSN: 0957-4484, 1361-6528
Revisión por Pares: SI
DOI: https://doi.org/10.1088/1361-6528/aa7e9d
Patrocinador: Junta de Castilla y León
Propietario de los Derechos: IOP Publishing
Idioma: eng
URI: http://uvadoc.uva.es/handle/10324/25376
Derechos: info:eu-repo/semantics/restrictedAccess
Aparece en las colecciones:DEP32 - Artículos de revista

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