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Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem: http://uvadoc.uva.es/handle/10324/27556
Título: Análisis de fenómenos de conmutación resistiva unipolares y bipolares
Autor: Domínguez López, Luis Antonio
Editor: Universidad de Valladolid. Escuela Técnica Superior de Ingenieros de Telecomunicación
Director o Tutor: Castán Lanaspa, María Helena, dir.
Año del Documento: 2017
Titulación: Grado en Ingeniería de Tecnologías Específicas de Telecomunicación
Resumen: El fenómeno de conmutación resistiva consiste en el cambio súbito y no volátil de la resistencia eléctrica de una capa de material dieléctrico, como consecuencia de la aplicación de una tensión o corriente eléctricas. Este fenómeno está siendo objeto de una intensa investigación por su posible aplicación en dispositivos de memoria resistiva (ReRAM), basados en configuraciones metal-aislante-semiconductor (MIS) y metal-aislante-metal (MIM). En el presente trabajo se estudiará este fenómeno, así como, los equipos y montajes dedicados a este fin.
Palabras Clave: Memoria resistiva
Memristor
ReRAM
MIS
Idioma: spa
URI: http://uvadoc.uva.es/handle/10324/27556
Derechos: info:eu-repo/semantics/openAccess
Aparece en las colecciones:Trabajos Fin de Grado UVa

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