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Improved-physical-models-silicon.pdf.jpgImproved physical models for advanced silicon device processingPelaz Montes, María Lourdes; Marqués Cuesta, Luis Alberto; Aboy Cebrián, María; López Martín, Pedro; Santos Tejido, Iván2017application/pdf
Ultrafast-generation-unconventional-Supplemental-Material.pdf.jpgUltrafast generation of unconventional {001} loops in SiMarqués Cuesta, Luis Alberto; Aboy Cebrián, María; Santos Tejido, Iván; López Martín, Pedro; Cristiano, Fuccio; La Magna, Antonino; Huet, Karim; Tabata, Toshiyuki; Pelaz Montes, María Lourdes2017application/pdf
2017_Santos_CDE2017.pdf.jpgCharacterization of amorphous Si generated through classical molecular dynamics simulationsSantos Tejido, Iván; López Martín, Pedro; Aboy Cebrián, María; Marqués Cuesta, Luis Alberto; Pelaz Montes, María Lourdes2017application/pdf
2017_Lopez_CDE2017.pdf.jpgEvaluation of energy barriers for topological transitions of Si self-interstitial clusters by classical molecular dynamics and the kinetic activation-relaxation techniqueLópez Martín, Pedro; Santos Tejido, Iván; Aboy Cebrián, María; Marqués Cuesta, Luis Alberto; Trochet, M.; Mousseau, N.; Pelaz Montes, María Lourdes2017application/pdf
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