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Título: The curious case of thin-body Ge crystallization
Autor: Duffy, Ray
Shayesteh, M.
McCarthy, B.
Blake, A.
White, M.
Scully, J.
Yu, R.
Kelleher, A. M.
Schmidt, M.
Petkov, N.
Pelaz Montes, María Lourdes
Marqués Cuesta, Luis Alberto
Año del Documento: 2011
Editorial: AIP Publishing
Descripción: Producción Científica
Documento Fuente: Applied Physics Letters, 2011, 99, 131901
Resumen: The authors investigate the templated crystallization of thin-body Ge fin structures with high aspect ratios. Experimental variables include fin thickness and thermal treatments, with fin structures oriented in the 〈110〉 direction. Transmission electron microscopy determined that various crystal defects form during crystallization of amorphous Ge regions, most notably {111} stacking faults, twin boundaries, and small crystallites. In all cases, the nature of the defects is dependent on the fin thickness and thermal treatments applied. Using a standard 600 °C rapid-thermal-anneal, Gestructures with high aspect ratios crystallize with better crystal quality and fewer uncured defects than the equivalent Si case, which is a cause for optimism for thin-film Ge devices.
Palabras Clave: Cristalización
ISSN: 0003-6951
Revisión por Pares: SI
Patrocinador: Science Foundation Ireland under Research Grant Nos. 09/SIRG/I1623 and 09/SIRG/I1621.
Version del Editor:
Propietario de los Derechos: © 2011 American Institute of Physics
Idioma: eng
Derechos: info:eu-repo/semantics/openAccess
Aparece en las colecciones:Electrónica - Artículos de revista
DEP22 - Artículos de revista

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