2024-03-29T06:48:54Zhttp://uvadoc.uva.es/oai/requestoai:uvadoc.uva.es:10324/320542021-06-29T22:37:12Zcom_10324_38col_10324_852
Técnicas de caracterización de defectos en dieléctricos de alta permitividad en estructuras Metal-Aislante-Semiconductor
Pisador Cañibano, Carlos
Dueñas Carazo, Salvador
Universidad de Valladolid. Facultad de Ciencias
Defectos
MOS
Interfaz
Técnicas
El deseo de conseguir dispositivos cada vez más pequeños basados en la
tecnología CMOS (ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor),ha desembocado en algunos problemas como son los niveles de corrientes de fuga.Durante los últimos años, se han realizado muchas investigaciones para encontrar dieléctricos de alta permitividad que sustituyan a SiO2 y SiON como aislantes en transistores MOS. A día de hoy, se están usando varias técnicas con este objetivo (curvas C-V,Transitorios de tensión de banda plana (FTB) o
la Técnica de transitorios de conductancia (GTT)).En este documento, se va a explicar cómo se realizan estas técnicas y los resultados que obtenemos para diferentes muestras formadas por HfO2 y Al2O3 como asilantes de alta permitividad.
Grado en Física
2018-10-09T11:46:38Z
2018-10-09T11:46:38Z
2018
info:eu-repo/semantics/bachelorThesis
http://uvadoc.uva.es/handle/10324/32054
spa
Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International
info:eu-repo/semantics/openAccess
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
application/pdf
https://uvadoc.uva.es/bitstream/10324/32054/6/TFG-G3003.pdf.jpg
Hispana
TEXT
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
UVaDOC. Repositorio Documental de la Universidad de Valladolid
http://uvadoc.uva.es/handle/10324/32054