RT info:eu-repo/semantics/bachelorThesis
T1 Técnicas de caracterización de defectos en dieléctricos de alta permitividad en estructuras Metal-Aislante-Semiconductor
A1 Pisador Cañibano, Carlos
A2 Universidad de Valladolid. Facultad de Ciencias
K1 Defectos
K1 MOS
K1 Interfaz
K1 Técnicas
AB El deseo de conseguir dispositivos cada vez más pequeños basados en latecnología CMOS (ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor),ha desembocado en algunos problemas como son los niveles de corrientes de fuga.Durante los últimos años, se han realizado muchas investigaciones para encontrar dieléctricos de alta permitividad que sustituyan a SiO2 y SiON como aislantes en transistores MOS. A día de hoy, se están usando varias técnicas con este objetivo (curvas C-V,Transitorios de tensión de banda plana (FTB) ola Técnica de transitorios de conductancia (GTT)).En este documento, se va a explicar cómo se realizan estas técnicas y los resultados que obtenemos para diferentes muestras formadas por HfO2 y Al2O3 como asilantes de alta permitividad.
YR 2018
FD 2018
LK http://uvadoc.uva.es/handle/10324/32054
UL http://uvadoc.uva.es/handle/10324/32054
LA spa
DS UVaDOC
RD 20-sep-2024