RT info:eu-repo/semantics/masterThesis
T1 Estudio experimental de estructuras para su aplicación en memorias resistivas
A1 Domínguez López, Luis Antonio
A2 Universidad de Valladolid. Escuela Técnica Superior de Ingenieros de Telecomunicación
K1 Memorias resistivas
K1 Memristor
K1 Conmutación resistiva
K1 MIM
AB La memoria de acceso aleatorio resistivas (RRAM) está en la actualidad siendo investigada ydesarrollada como reemplazo de la tecnología flash, por el momento usada para almacenar informaciónen dispositivos móviles, instrumentación científica, electrónica médica, robótica industrial,etc. Estas nuevas memorias no volátiles están basadas en estructuras metal-aislante-metal(MIM) o estructuras metal-asilante-semiconductor (MIS) las cuales manifiestan el fenómeno deconmutación resistiva. Este fenómeno va a depender de las características del aislante y losmateriales que compongan el electrodo metálico. Este trabajo tiene como objetivo conocer elcomportamiento de estructuras tanto MIS como MIM como células RRAM. Para ello, se realizaráuna caracterización eléctrica en profundidad de las estructuras, que determine las propiedadesy el comportamiento de estos dispositivos.En este proyecto, se medirán las características del dieléctrico y de la interface que formanparte de una estructura MIS compuesta por Ni/Capa dieléctrica/Si − n+ por medio de unagran variedad de técnicas, como medidas de Capacidad - Tensión o transitorios de banda plana(Vfb−t). También se medirán estructuras MIM compuestas por W/T i/Capadieléctrica/TiN/T ien la que se aplicarán técnicas de medida de corriente-tensión y de conductancia-tensión quepermitan obtener un estudio del funcionamiento global
YR 2018
FD 2018
LK http://uvadoc.uva.es/handle/10324/33290
UL http://uvadoc.uva.es/handle/10324/33290
LA spa
NO Departamento de Electricidad y Electrónica
DS UVaDOC
RD 26-abr-2024