RT info:eu-repo/semantics/bachelorThesis T1 Termodinámica de defectos en semiconductores mediante simulaciones atomísticas: defectos en el plano {111} en Si cristalino A1 Caballo Zulueta, Ana A2 Universidad de Valladolid. Facultad de Ciencias K1 Silicio K1 Clusters de intersticiales K1 Defectos AB El objetivo de este TFG es estudiar a través de simulaciones atomísticasdefectos de intersticiales precursores de los defectos extensos observados experimentalmenteen silicio. Se analizarán en términos de su energía, estructura,simetría, modos normales de vibración y niveles electrónicos queintroducen en el gap del semiconductor. Para ello se realizará una caracterización termodinámica de los defectos, que comprende el uso de simulacionesde dinámica molecular así como el estudio de la entropía vibracional y lasimetría de los defectos, y una caracterización electrónica mediante simulacionesab initio. En este trabajo se emplean los códigos de simulaciónparalelos LAMMPS, para la ejecución de simulaciones de dinámica molecular,y VASP, que permite realizar cálculos de tipo ab initio. YR 2019 FD 2019 LK http://uvadoc.uva.es/handle/10324/38232 UL http://uvadoc.uva.es/handle/10324/38232 LA spa DS UVaDOC RD 29-mar-2024