RT info:eu-repo/semantics/bachelorThesis
T1 Simulación y caracterización de defectos en materiales cristalinos (germanio)
A1 Sánchez Hurtado, José Miguel
A2 Universidad de Valladolid. Escuela Técnica Superior de Ingenieros de Telecomunicación
K1 Dinámica molecular
K1 Sistemas microelectromecánicos - Innnovaciones tecnológicas
K1 Nanoelectrónica
AB El Ge se postula como material complementario al Si en futuras generaciones de dispositivos, debido a su mayor movilidad de portadores y a que es compatible con la tecnología actual de fabricación. Una de las particularidades del Ge es la formación, durante el proceso de implantación iónica con dosis elevadas, de nano-estructuras en forma de panal de abeja denominadas honeycombs, que afectan negativamente a sus propiedades. Los honeycombs solo se observan dentro de regiones amorfas y están asociados a la creación y acumulación de un tipo de defectos puntuales (vacantes).En este Trabajo Fin de Grado hemos analizado algunos mecanismos relacionados con la formación y crecimiento de honeycombs en Ge. Para ello, hemos empleado la técnica de Dinámica Molecular Clásica para crear celdas de Ge amorfo en las que hemos introducido vacantes. Se han estudiado las principales propiedades de la vacante, como la energía de formación, el volumen y su estabilidad y difusión. Asimismo, hemos analizado el comportamiento de capas amorfas de Ge con una alta concentración de vacantes cuando se someten a un recocido término o se induce la recristalización. Los resultados obtenidos ayudan a entender mejor los procesos físicos que dan lugar a la formación de estas estructuras.
YR 2014
FD 2014
LK http://uvadoc.uva.es/handle/10324/7997
UL http://uvadoc.uva.es/handle/10324/7997
LA spa
DS UVaDOC
RD 30-abr-2024