TY  - JOUR 
AU  - Bai, S.
AU  - Ke, Yue
AU  - Shishkin, Y.
AU  - Shigiltchoff, O.
AU  - Devaty, R. P.
AU  - Choyke, W. J.
AU  - Strauch, D.
AU  - Stojetz, B.
AU  - Dorner, B.
AU  - Hobgood, D.
AU  - Cardona, M.
AU  - Nagasawa, H.
AU  - Kimoto, T.
AU  - Porter, L. M.
AU  - Serrano Gutiérrez, Jorge
PY  - 2003
SN  - 0272-9172
UR  - https://uvadoc.uva.es/handle/10324/65354
AB  - A description is given of the profiling of CVD grown 3C SiC on undulant (001) Si using low temperature photoluminescence (LTPL). Inelastic neutron scattering (INS) and X-ray Raman scattering (XRS) are compared for acoustical modes of 4H SiC. Schottky...
LA  - eng
PB  - Cambridge University Press
TI  - Four Current Examples of Characterization of Silicon Carbide
DO  - 10.1557/PROC-742-K3.1
ER  -