RT info:eu-repo/semantics/bachelorThesis
T1 Estudio y caracterización Raman de nanohilos heteroestructurados
A1 Magdaleno de Benito, Álvaro Javier
A2 Universidad de Valladolid. Facultad de Ciencias
K1 Nanohilos
K1 Raman
K1 SiGe
K1 Heteroestructuras
AB En los últimos años, ha habido un interés creciente en el desarrollo de aplicaciones para nanohilossemiconductores. Entre la amplia variedad de campos donde tienen cabida estas estructuras, estetrabajo de investigación se centra en la respuesta de nanohilos semiconductores heteroestructuradosante la radiación electromagnética. Para este fin, nos apoyamos principalmente en la espectroscopíaRaman. Esta técnica permite conocer un gran número de propiedades del material, como veremosa lo largo del trabajo. No obstante, el principal interés de esta técnica estriba en la información quenos proporciona sobre la respuesta de los nanohilos ante la radiación electromagnética. Estudiosprevios han hallado que en nanohilos heteroestructurados de Si/SiGe las heterouniones presentanuna amplificación de la señal Raman por unidad de volumen de hasta diez veces con respecto a laseñal que muestran las zonas homogéneas [1]. Precisamente, el propósito de esta investigación esavanzar en la comprensión de este fenómeno, por lo que se ha tratado de aportar datos mediantemedidas Raman de nanohilos semiconductores de Si/SiGe así como nanohilos formados por nuevosmateriales como, Si/GaAs y Si/InAs.Asimismo, con motivo de una interpretación más detallada de los resultados Raman, se ha empleadomicroscopía electrónica de barrido. La cual ha permitido examinar los nanohilos por medio deimágenes donde se apreciaban adecuadamente sus características estructurales y cambios de material.De este modo, se facilitó la localización y caracterización de las heterouniones de los nanohilossemiconductores estudiados. Por otro lado, aplicando medidas de espectroscopía de rayos X porenergía dispersiva, se contrastó la presencia de los componentes de cada tipo de nanohilo, así comola presencia, o no, de heterouniones.En primer lugar, se prepararon los portamuestras de manera que se obtenga la máxima señalRaman y que no induzcan a errores en la interpretación de los resultados. Para ello se utilizó Alcomo superficie del portamuestras, que por ser un metal no apota señal Raman y puede inducir unaligera amplificación de la señal procedente de otros materiales. Posteriormente, se depositaron losnanohilos en el portamuestras, este proceso se basó en la dispersión de los nanohilos en un alcoholy seguidamenete la deposición de estos sobre el portamuestras con una pipeta. Una vez realizadoeste proceso se llevó a cabo la caracterización de los nanohilos.
YR 2017
FD 2017
LK http://uvadoc.uva.es/handle/10324/25849
UL http://uvadoc.uva.es/handle/10324/25849
LA spa
NO Departamento de Física de la Materia Condensada, Cristalografía y Mineralogía
DS UVaDOC
RD 05-may-2024