RT info:eu-repo/semantics/bachelorThesis
T1 Switching Resistivo en dispositivos MIM con dieléctricos de alta permitividad
A1 Gandiaga Calero, Daniel
A2 Universidad de Valladolid. Facultad de Ciencias
K1 Dieléctricos de alta permitividad
K1 Nanotecnología
AB El trabajo comienza con una exposición sobre cómo debido a la búsqueda de componenteselectrónicos cada vez más pequeños surge en el panorama científico actual la necesidad dedieléctricos de alta permitividad que actúen como sustitutos del Si02 en los transistoresMOSFET, componentes básicos de la electrónica moderna.A continuación se incluye un resumen general sobre los diferentes tipos de memorias que seutilizan actualmente o se presentan como candidatos para un futuro próximo. Se presenta el fenómeno de Switching Resistance, propiedad física recientemente descubierta en algunos de estos dieléctricos de alta permitividad, útil para fabricar un tipo de memorias específico, las ReRAM, sobre las que se profundiza en el trabajo.Finalmente se describen los procesos de fabricación de las muestras caracterizadas dedieléctricos en el laboratorio, así como los equipos utilizados y los resultados obtenidos de dicho estudio.Se termina comentando las conclusiones generales y las posibles futuras líneas de desarrollo en este campo.
YR 2014
FD 2014
LK http://uvadoc.uva.es/handle/10324/6617
UL http://uvadoc.uva.es/handle/10324/6617
LA spa
DS UVaDOC
RD 30-abr-2024