Caracterización de agregados de vacantes en silicio cristalino

Título

dc.contributor.advisor	Santos Tejido, Iván	es
dc.contributor.author	Otero Calzada, Fernando
dc.contributor.editor	Universidad de Valladolid. Facultad de Ciencias	es
dc.date.accessioned	2015-10-13T10:31:13Z
dc.date.available	2015-10-13T10:31:13Z
dc.date.issued	2015
dc.identifier.uri	http://uvadoc.uva.es/handle/10324/14171
dc.description.abstract	En este estudio se han utilizado técnicas de simulación MD para reproducir procesos de recocido de Silicio cristalino a altas temperaturas. Estas redes de silicio han sido previamente generadas para contener distintas cantidades de vacantes. En este sentido, los procesos de recocido térmico nos han permitido observar las diferentes estructuras en las que estos grupos de defectos se organizan. Finalmente, hemos caracterizado estas configuraciones encontradas.	es
dc.format.mimetype	application/pdf	es
dc.language.iso	spa	es
dc.rights.accessRights	info:eu-repo/semantics/openAccess	es
dc.rights.uri	http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
dc.subject	Silicio cristalino	es
dc.subject	Simulaciones
dc.subject	Dinámica molecular
dc.title	Caracterización de agregados de vacantes en silicio cristalino	es
dc.type	info:eu-repo/semantics/bachelorThesis	es
dc.description.degree	Grado en Física	es
dc.rights	Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International

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