El Ge es un material semiconductor con una posición cada vez más relevante en las
futuras generaciones de dispositivos electrónicos. Presenta una alta movilidad de portadores,
lo que permitirá desarrollar transistores de alta movilidad, y cuenta con la gran
ventaja de ser compatible con la tecnología de fabricación actual desarrollada para Si.
Durante los procesos de fabricación es habitual que se forme de forma intencionada o
no una capa de Ge amorfo. Una de las propiedades características del Ge amorfo, con
potenciales aplicaciones en la fabricación de sensores químicos o el almacenamiento de
energía entre otras, es la aparición de capas porosas formadas por nano-estructuras en
forma de panal de abeja, conocidas comúnmente como honeycombs. Estas estructuras
solo se observan en Ge amorfo y están asociadas con la generación y acumulación de
vacantes.
El objetivo de este trabajo es estudiar las características del Ge amorfo desde un
punto de vista atomístico y analizar el efecto sobre las propiedades de la red de la presencia
de defectos puntuales y extensos, prestando especial atención a los defectos de
vacantes. Para ello se han realizado simulaciones con la técnica de Dinámica Molecular
Clásica. Hemos caracterizado cada átomo de la red en base a distintas propiedades locales
y hemos determinado el mejor criterio para clasificar los átomos con propiedades o
comportamientos similares, e identificar la presencia de defectos en la red amorfa. Se han
introducido defectos puntuales y extensos en distintas concentraciones y se ha estudiado
su efecto sobre las propiedades estructurales y energéticas de la red, y sobre la difusión.
Esta información es de gran utilidad para poder identificar y entender el comportamiento
de los defectos en amorfo y es aplicable a otros materiales semiconductores.
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