La principal motivación para el estudio de los materiales de alta permitividad es el límite de integración al que está llegando el dióxido de silicio, como material aislante en los dispositivos MOSFET, para la fabricación de circuitos integrados. Como consecuencia del estudio de dichos materiales se ha encontrado otra potente posible aplicación para los semiconductores de alta permitividad. Ésta es la fabricación de memorias RAM.
Recientemente, el interés en nuevas tecnologías para implementar memorias no volátiles alternativas, ha crecido de forma significativa debido al límite existente en el escalado de memorias flash, que son actualmente los dispositivos no volátiles más populares en el mercado. La memoria resistiva de acceso aleatorio (ReRAM) es uno de los candidatos más prometedores para la próxima generación de dispositivos de memoria no volátiles y esto es lo que ha motivado la realización de este TFG.
Este TFG está centrado concretamente en la caracterización de muestras de óxido de titanio, en el estudio de la posible aplicación de este material para la fabricación de ReRAM y en la automatización de las medidas de caracterización mediante la herramienta de software LabView.
