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    Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem:http://uvadoc.uva.es/handle/10324/21801

    Título
    Enhanced Signal Micro-Raman Study of SiGe Nanowires and SiGe/Si Nanowire Axial Heterojuntions Grown Using Au and Ga-Au Catalysts
    Autor
    Anaya Calvo, JuliánAutoridad UVA Orcid
    Torres, Alfredo
    Jiménez López, Juan IgnacioAutoridad UVA Orcid
    Prieto Colorado, Ángel CarmeloAutoridad UVA Orcid
    Rodríguez, Andrés
    Rodríguez, Tomás
    Ballesteros, Carmen
    Año del Documento
    2015
    Editorial
    Materials Reseracrh Society
    Descripción
    Producción Científica
    Documento Fuente
    MRS Proceedings, 2015, vol. 1751
    Zusammenfassung
    MicroRaman spectroscopy was used for the characterization of heterostructured SiGe/Si nanowires. The NWs were grown with alloyed AuGa catalysts droplets with different Ga compositions aiming to make more abrupt heterojunctions. The heterojunctions were first characterized by TEM; then the NWs were scanned by the laser beam in order to probe the heterojunction. The capability of the MicroRaman spectroscopy for studying the heterojunction is discussed. The results show that the use of catalysts with lower Ge and Si solubility (AuGa alloys) permits to achieve more abrupt junctions.
    Materias (normalizadas)
    Enhanced Signal Micro-Raman
    Revisión por pares
    SI
    DOI
    10.1557/opl.2015.88
    Patrocinador
    Junta de Castilla y León (programa de apoyo a proyectos de investigación – Ref. VA302U13)
    Idioma
    eng
    URI
    http://uvadoc.uva.es/handle/10324/21801
    Derechos
    openAccess
    Aparece en las colecciones
    • DEP32 - Artículos de revista [284]
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    Dateien zu dieser Ressource
    Nombre:
    INVE_MEM_2015_230462.pdf
    Tamaño:
    1018.Kb
    Formato:
    Adobe PDF
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    Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 InternationalSolange nicht anders angezeigt, wird die Lizenz wie folgt beschrieben: Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International

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