El estudio de nuevas técnicas de crecimiento de materiales semiconductores para la fabricación de dispositivos electrónicos es de gran importancia para la industria actual. La obtención de obleas de semiconductores distintos al silicio con una calidad apropiada, así como con un coste comprensible es uno de los retos por los que pasa la electrónica. Esto conlleva una necesidad de poder caracterizar las muestras de una manera exhaustiva que permita ver las cualidades de la oblea creada. Es aquí donde la catodoluminiscencia aparece como la mejor técnica para llevar a cabo su estudio. En este Trabajo de Fin de Grado se exponen los resultados obtenidos al estudiar mediante dicha técnica una muestra de Fosfuro de Indio crecida mediante una nueva técnica de crecimiento epitaxial (CELOG).
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