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dc.contributor.advisorDueñas Carazo, Salvador es
dc.contributor.authorValdavida Aparicio, Adrián
dc.contributor.editorUniversidad de Valladolid. Facultad de Ciencias es
dc.date.accessioned2018-10-10T07:45:09Z
dc.date.available2018-10-10T07:45:09Z
dc.date.issued2018
dc.identifier.urihttp://uvadoc.uva.es/handle/10324/32064
dc.description.abstractLa conmutación resistiva de estructuras MIM (metal-aislante-metal) está siendo investigada por su posible aplicación inmediata en el campo de los dispositivos de memoria entre otras aplicaciones. En este trabajo de fin de grado, primero se ha realizado un acercamiento al fenómeno de la conmutación a partir de la explicación teórica de lo que subyace al mismo, así como también su aplicación tecnológica en el campo de las memorias y sus requerimientos. Seguidamente, se han explicado los tratamientos experimentales a seguir en la caracterización de las estructuras MIM a través de dos experimentos de laboratorio. Finalmente, se han mostrado los resultados obtenidos en la caracterización realizada en los laboratorios de dos lotes de muestras MIM.es
dc.format.mimetypeapplication/pdfes
dc.language.isospaes
dc.rights.accessRightsinfo:eu-repo/semantics/openAccesses
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
dc.subject.classificationCommutación resistivaes
dc.subject.classificationRRAMes
dc.titleMecanismos de conducción y conmutación resistiva en estructuras Metal-Aislante-Metales
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/bachelorThesises
dc.description.degreeGrado en Físicaes
dc.rightsAttribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International


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