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Admittance memory cycles of Ta2O5-ZrO2-based RRAM devices340

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Admittance memory cycles of Ta2O5-ZrO2-based RRAM devices93

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agosto 202425
septiembre 202414
octubre 202415
noviembre 20242
diciembre 20241
enero 202533
febrero 20253
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  • agosto 2024
    3
  • septiembre 2024
    2
  • octubre 2024
    2
  • noviembre 2024
    2
  • diciembre 2024
    3
  • enero 2025
    9
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Estados Unidos37
Singapur21
China12
Rusia9
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Finlandia2
Alemania2
Canadá1
Hong Kong1
Suecia1

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Estados Unidos12
China3
Hong Kong2
España1
Canadá1
Rusia1

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Ashburn11
Valladolid7
Santa Clara6
Boardman4
Helsinki2
Central1
Inglewood1
Oklahoma City1
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Ashburn9
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