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The role of defects in the resistive switching behavior of Ta2O5-TiO2-based metal–insulator–metal (MIM) devices for memory applications	566

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Fevereiro 2025	4
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Hanoi	3
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Kyiv	2
Valladolid	2
Ho Chi Minh City	2
Angra dos Reis	1
Asunción	1
Bhiwandi	1
Bien Hoa	1

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