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The role of defects in the resistive switching behavior of Ta2O5-TiO2-based metal–insulator–metal (MIM) devices for memory applications	854

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octubre 2025	26
noviembre 2025	21
diciembre 2025	19
enero 2026	56
febrero 2026	21
marzo 2026	32
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octubre 2025

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noviembre 2025

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diciembre 2025

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8
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10
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3
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Estados Unidos	63
China	41
Brasil	14
Hong Kong	7
España	7
Vietnam	6
Singapur	6
Alemania	5
Canadá	5
Reino Unido	3

Países con más descargas

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Estados Unidos	26
China	11
Alemania	6
Reino Unido	6
Hong Kong	4
Canadá	4
Singapur	3
España	2

Ciudades con más visualizaciones

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San Jose	7
Central	7
Valladolid	6
Singapore	6
Los Angeles	4
Frankfurt am Main	4
Hamilton	3
Ho Chi Minh City	3
Beijing	3
Ashburn	2

Ciudades con más descargas

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Frankfurt am Main	4
Central	3
Singapore	2
Beijing	2
Hamilton	1
Ashburn	1