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The role of defects in the resistive switching behavior of Ta2O5-TiO2-based metal–insulator–metal (MIM) devices for memory applications	686

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The role of defects in the resistive switching behavior of Ta2O5-TiO2-based metal–insulator–metal (MIM) devices for memory applications	269

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Abril 2025	37
Maio 2025	43
Junho 2025	64
Julho 2025	28
Agosto 2025	43
Setembro 2025	42
Outubro 2025	12

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Abril 2025

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Maio 2025

3
Junho 2025

12
Julho 2025

2
Agosto 2025

10
Setembro 2025

13
Outubro 2025

8
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Principais visualizações por país

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Estados Unidos	110
China	25
Rússia	24
Brasil	24
Espanha	20
França	13
Cingapura	12
Vietnã	10
Hong Kong, Região Admin. Especial da China	8
Ucrânia	4

Países con más descargas

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Estados Unidos	25
França	6
Hong Kong, Região Admin. Especial da China	3
Rússia	2
Cingapura	2
Espanha	2
China	1

Principais visualizações por cidade

	Visualizações
Council Bluffs	19
Inca	8
Singapore	8
Central	8
Valladolid	4
Salamanca	4
Hefei	3
Seoul	3
Hanoi	3
Ashburn	2

Ciudades con más descargas

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Ashburn	7
Central	3
Singapore	2
Seoul	2
Inca	2