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The role of defects in the resistive switching behavior of Ta2O5-TiO2-based metal–insulator–metal (MIM) devices for memory applications	553

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Dezembro 2024	1
Janeiro 2025	21
Fevereiro 2025	4
Março 2025	3
Abril 2025	37
Maio 2025	43
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Rússia	13
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França	2
Índia	2
Espanha	2
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Council Bluffs	20
Ashburn	3
Kyiv	2
Valladolid	2
Ho Chi Minh City	2
Angra dos Reis	1
Bhiwandi	1
Bien Hoa	1
Buenos Aires	1
Buritirana	1

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Ashburn	7