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The role of defects in the resistive switching behavior of Ta2O5-TiO2-based metal–insulator–metal (MIM) devices for memory applications	647

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Março 2025	3
Abril 2025	37
Maio 2025	43
Junho 2025	64
Julho 2025	28
Agosto 2025	43
Setembro 2025	15

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Março 2025

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Abril 2025

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Estados Unidos	99
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Brasil	23
Espanha	22
China	17
França	13
Vietnã	9
Cingapura	5
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Alemanha	3

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Estados Unidos	17
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Council Bluffs	19
Inca	8
Valladolid	6
Salamanca	4
Singapore	3
Hanoi	3
Ashburn	2
Central	2
Hefei	2
Ho Chi Minh City	2

Ciudades con más descargas

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Ashburn	6
Central	3
Inca	2