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The role of defects in the resistive switching behavior of Ta2O5-TiO2-based metal–insulator–metal (MIM) devices for memory applications	304

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Taipei	5
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Hamilton	1
London	1
Phoenix	1
Valladolid	1
Xi'an	1
Yongin-si	1

Ciudades con más descargas

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Ashburn	10
Valladolid	2
Taipei	1