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The role of defects in the resistive switching behavior of Ta2O5-TiO2-based metal–insulator–metal (MIM) devices for memory applications	835

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septiembre 2025	42
octubre 2025	26
noviembre 2025	21
diciembre 2025	19
enero 2026	56
febrero 2026	21
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septiembre 2025

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diciembre 2025

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8
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Estados Unidos	62
China	52
Hong Kong	15
Brasil	13
Singapur	11
España	7
Vietnam	6
Alemania	5
Canadá	5
Reino Unido	3

Países con más descargas

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Estados Unidos	28
China	11
Alemania	6
Reino Unido	6
Canadá	4
Hong Kong	4
Singapur	4
España	3

Ciudades con más visualizaciones

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Central	15
Singapore	9
San Jose	7
Valladolid	6
Los Angeles	5
Ashburn	3
Beijing	3
Frankfurt am Main	3
Hamilton	3
Ho Chi Minh City	3

Ciudades con más descargas

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Singapore	4
Frankfurt am Main	4
Central	3
Beijing	2
Ashburn	1
Hamilton	1