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The role of defects in the resistive switching behavior of Ta2O5-TiO2-based metal–insulator–metal (MIM) devices for memory applications	864

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octubre 2025	26
noviembre 2025	21
diciembre 2025	19
enero 2026	56
febrero 2026	21
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Vietnam	7
España	7
Alemania	6
Canadá	5
Argentina	3

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Estados Unidos	26
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Hong Kong	4
Canadá	4
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España	2

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San Jose	7
Singapore	7
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Valladolid	6
Frankfurt am Main	5
Los Angeles	4
Hamilton	3
Ho Chi Minh City	3
Beijing	3
Ashburn	2

Ciudades con más descargas

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Frankfurt am Main	4
Central	3
Singapore	2
Beijing	2
Hamilton	1
Ashburn	1