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The role of defects in the resistive switching behavior of Ta2O5-TiO2-based metal–insulator–metal (MIM) devices for memory applications	756

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Estados Unidos	26
China	6
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España	4
Singapur	4
Alemania	4
Hong Kong	3
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Singapore	9
Valladolid	8
Inca	8
San Jose	7
Salamanca	4
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Chicago	2
Curitiba	2

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