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The role of defects in the resistive switching behavior of Ta2O5-TiO2-based metal–insulator–metal (MIM) devices for memory applications	734

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luglio 2025	28
agosto 2025	43
settembre 2025	42
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novembre 2025	21
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giugno 2025

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Cina	33
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Vietnam	12
Francia	12
Russia	11
Hong Kong	9
Germania	5

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Stati Uniti	31
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Singapore	4
Hong Kong	4
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Russia	1

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Council Bluffs	19
Singapore	9
Central	9
Valladolid	8
Inca	8
Salamanca	4
Ho Chi Minh City	4
Hanoi	3
Hefei	3
Seoul	3

Ciudades con más descargas

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Central	4
Singapore	4
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Seoul	2