Switching Resistivo en dispositivos MIM con dieléctricos de alta permitividad

Abstract

El trabajo comienza con una exposición sobre cómo debido a la búsqueda de componentes electrónicos cada vez más pequeños surge en el panorama científico actual la necesidad de dieléctricos de alta permitividad que actúen como sustitutos del Si02 en los transistores MOSFET, componentes básicos de la electrónica moderna. A continuación se incluye un resumen general sobre los diferentes tipos de memorias que se utilizan actualmente o se presentan como candidatos para un futuro próximo. Se presenta el fenómeno de Switching Resistance, propiedad física recientemente descubierta en algunos de estos dieléctricos de alta permitividad, útil para fabricar un tipo de memorias específico, las ReRAM, sobre las que se profundiza en el trabajo. Finalmente se describen los procesos de fabricación de las muestras caracterizadas de dieléctricos en el laboratorio, así como los equipos utilizados y los resultados obtenidos de dicho estudio. Se termina comentando las conclusiones generales y las posibles futuras líneas de desarrollo en este campo.