Caracterización mediante espectroscopía micro-Raman y micro-Fotoluminiscencia de semiconductores en forma de capa delgada para optoelectrónica

Abstract

En este trabajo de fin de grado se ha realizado una caracterización bidimensional mediante mapeo micro-Raman y micro-PL de capas delgadas semiconductoras. Se han revisado los fundamentos de diferentes tecnicas de deposición epitaxial como son MBE, MOCVD así como otras técnicas de creciemiento de películas delgadas como sol-gel. Tambien se han revisado los fundamentos físicos de las tecnicas micro-Raman y micro-Fotoluminiscencia (micro-PL), los parámetros que se pueden estudiar con ellas y los aspectos tecnicos a tener en cuenta en las medidas. Finalmente se ha analizado el mapeo Raman y de PL de tres muestras semiconductoras depositadas en forma de capa delgada: InGaP crecido sobre GaAs mediante MOCVD, GaAs sobre Si mediante crecimiento lateral con MBE y MOCVD y TiZnVO mediante sol-gel.

In this final degree project a two-dimensional characterization has been carried out through microRaman and micro-PL mapping of semiconductor thin layers. The basis of different epitaxial deposition techniques have been reviewed such as MBE, MOCVD and sol-gel. The quality of the samples from each technique, the production cost and the type of substrate have been compared. The physical foundations of the micro-Raman and micro-PL techniques, the parameters that can be studied with them and the technical aspects to take into account in the measurements have also been reviewed. Finally, the Raman mapping and PL spectra of three different thin film semiconductors have been analyzed: InGaP grown on GaAs using MOCVD, GaAs on Si via conformal growth with MBE and TiZnVO using sol-gel.