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    Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem:http://uvadoc.uva.es/handle/10324/7380

    Título
    Caracterización de defectos en materiales semiconductores: Aplicación al estudio de nuevos sustratos de silicio para células solares
    Autor
    Pérez Díez, Eduardo
    Director o Tutor
    Castán Lanaspa, María HelenaAutoridad UVA
    García García, HéctorAutoridad UVA
    Editor
    Universidad de Valladolid. Escuela Técnica Superior de Ingenieros de TelecomunicaciónAutoridad UVA
    Año del Documento
    2014
    Resumen
    En el ámbito de los dispositivos fotovoltaicos una de las figuras de mérito más importante es la eficiencia de conversión de potencia luminosa en eléctrica. Para las células solares de unión pn existe una cota máxima del 40.7 %. En la presente Tesis Doctoral nos proponemos como objetivo caracterizar defectos en diferentes estructuras semiconductoras para tratar de reducir las pérdidas en esta magnitud. Este objetivo lo abordamos a través de tres líneas de investigación diferentes. La primera se centra en el desarrollo de una técnica de caracterización óptica que permita obtener mapas de eficiencia en superficie de células solares. La segunda busca ahondar en las pérdidas en eficiencia centrándose en la recombinación de portadores debida a la presencia de defectos e impurezas en los sustratos de las células solares. La tercera aborda el estudio de sustratos de silicio con altísimas dosis de implantación de titanio con objeto de formar en ellos la Banda Intermedia.
    Materias (normalizadas)
    Semiconductores
    Silicio
    Células solares
    Departamento
    Departamento de Electricidad y Electrónica
    DOI
    10.35376/10324/7380
    Idioma
    spa
    URI
    http://uvadoc.uva.es/handle/10324/7380
    Derechos
    openAccess
    Aparece en las colecciones
    • Tesis doctorales UVa [2384]
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    Ficheros en el ítem
    Nombre:
    TESIS600-141204.pdf
    Tamaño:
    32.20Mb
    Formato:
    Adobe PDF
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    Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 InternationalLa licencia del ítem se describe como Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International

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