Caracterización de defectos en materiales semiconductores: Aplicación al estudio de nuevos sustratos de silicio para células solares

Abstract

En el ámbito de los dispositivos fotovoltaicos una de las figuras de mérito más importante es la eficiencia de conversión de potencia luminosa en eléctrica. Para las células solares de unión pn existe una cota máxima del 40.7 %.

En la presente Tesis Doctoral nos proponemos como objetivo caracterizar defectos en diferentes estructuras semiconductoras para tratar de reducir las pérdidas en esta magnitud. Este objetivo lo abordamos a través de tres líneas de investigación diferentes.

La primera se centra en el desarrollo de una técnica de caracterización óptica que permita obtener mapas de eficiencia en superficie de células solares.

La segunda busca ahondar en las pérdidas en eficiencia centrándose en la recombinación de portadores debida a la presencia de defectos e impurezas en los sustratos de las células solares.

La tercera aborda el estudio de sustratos de silicio con altísimas dosis de implantación de titanio con objeto de formar en ellos la Banda Intermedia.