2026-05-05T18:34:57Zhttps://uvadoc.uva.es/oai/request
oai:uvadoc.uva.es:10324/141712021-06-29T11:00:27Zcom_10324_38col_10324_852
Caracterización de agregados de vacantes en silicio cristalino Otero Calzada, Fernando Santos Tejido, Iván Universidad de Valladolid. Facultad de Ciencias Silicio cristalino Simulaciones Dinámica molecular En este estudio se han utilizado técnicas de simulación MD para reproducir procesos de recocido de Silicio cristalino a altas temperaturas. Estas redes de silicio han sido previamente generadas para contener distintas cantidades de vacantes. En este sentido, los procesos de recocido térmico nos han permitido observar las diferentes estructuras en las que estos grupos de defectos se organizan. Finalmente, hemos caracterizado estas configuraciones encontradas. 2015-10-13 2015-10-13 2015 info:eu-repo/semantics/bachelorThesis http://uvadoc.uva.es/handle/10324/14171 spa info:eu-repo/semantics/openAccess http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/ Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International