2026-04-27T19:49:32Zhttps://uvadoc.uva.es/oai/request

oai:uvadoc.uva.es:10324/141712021-06-29T11:00:27Zcom_10324_38col_10324_852

Otero Calzada, Fernando 2015-10-13T10:31:13Z 2015-10-13T10:31:13Z 2015 http://uvadoc.uva.es/handle/10324/14171 En este estudio se han utilizado técnicas de simulación MD para reproducir procesos de recocido de Silicio cristalino a altas temperaturas. Estas redes de silicio han sido previamente generadas para contener distintas cantidades de vacantes. En este sentido, los procesos de recocido térmico nos han permitido observar las diferentes estructuras en las que estos grupos de defectos se organizan. Finalmente, hemos caracterizado estas configuraciones encontradas. spa info:eu-repo/semantics/openAccess http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/ Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International Silicio cristalino Simulaciones Dinámica molecular Caracterización de agregados de vacantes en silicio cristalino info:eu-repo/semantics/bachelorThesis