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<title>Simulación de defectos en germanio amorfo</title>
<creator>Calvo Ruiz, Diego</creator>
<contributor>López Martín, Pedro</contributor>
<contributor>Universidad de Valladolid. Escuela Técnica Superior de Ingenieros de Telecomunicación</contributor>
<subject>[pendiente de asignar]</subject>
<description>El Ge es un material semiconductor con una posición cada vez más relevante en las&#xd;
futuras generaciones de dispositivos electrónicos. Presenta una alta movilidad de portadores,&#xd;
lo que permitirá desarrollar transistores de alta movilidad, y cuenta con la gran&#xd;
ventaja de ser compatible con la tecnología de fabricación actual desarrollada para Si.&#xd;
Durante los procesos de fabricación es habitual que se forme de forma intencionada o&#xd;
no una capa de Ge amorfo. Una de las propiedades características del Ge amorfo, con&#xd;
potenciales aplicaciones en la fabricación de sensores químicos o el almacenamiento de&#xd;
energía entre otras, es la aparición de capas porosas formadas por nano-estructuras en&#xd;
forma de panal de abeja, conocidas comúnmente como honeycombs. Estas estructuras&#xd;
solo se observan en Ge amorfo y están asociadas con la generación y acumulación de&#xd;
vacantes.&#xd;
El objetivo de este trabajo es estudiar las características del Ge amorfo desde un&#xd;
punto de vista atomístico y analizar el efecto sobre las propiedades de la red de la presencia&#xd;
de defectos puntuales y extensos, prestando especial atención a los defectos de&#xd;
vacantes. Para ello se han realizado simulaciones con la técnica de Dinámica Molecular&#xd;
Clásica. Hemos caracterizado cada átomo de la red en base a distintas propiedades locales&#xd;
y hemos determinado el mejor criterio para clasificar los átomos con propiedades o&#xd;
comportamientos similares, e identificar la presencia de defectos en la red amorfa. Se han&#xd;
introducido defectos puntuales y extensos en distintas concentraciones y se ha estudiado&#xd;
su efecto sobre las propiedades estructurales y energéticas de la red, y sobre la difusión.&#xd;
Esta información es de gran utilidad para poder identificar y entender el comportamiento&#xd;
de los defectos en amorfo y es aplicable a otros materiales semiconductores.</description>
<date>2015-12-16</date>
<date>2015-12-16</date>
<date>2015</date>
<type>info:eu-repo/semantics/bachelorThesis</type>
<identifier>http://uvadoc.uva.es/handle/10324/15103</identifier>
<language>spa</language>
<rights>info:eu-repo/semantics/openAccess</rights>
<rights>http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/</rights>
<rights>Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International</rights>
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