2026-04-14T18:22:59Zhttps://uvadoc.uva.es/oai/requestoai:uvadoc.uva.es:10324/151032021-06-29T12:08:18Zcom_10324_38col_10324_852
Calvo Ruiz, Diego
2015-12-16T16:28:05Z
2015-12-16T16:28:05Z
2015
http://uvadoc.uva.es/handle/10324/15103
El Ge es un material semiconductor con una posición cada vez más relevante en las
futuras generaciones de dispositivos electrónicos. Presenta una alta movilidad de portadores,
lo que permitirá desarrollar transistores de alta movilidad, y cuenta con la gran
ventaja de ser compatible con la tecnología de fabricación actual desarrollada para Si.
Durante los procesos de fabricación es habitual que se forme de forma intencionada o
no una capa de Ge amorfo. Una de las propiedades características del Ge amorfo, con
potenciales aplicaciones en la fabricación de sensores químicos o el almacenamiento de
energía entre otras, es la aparición de capas porosas formadas por nano-estructuras en
forma de panal de abeja, conocidas comúnmente como honeycombs. Estas estructuras
solo se observan en Ge amorfo y están asociadas con la generación y acumulación de
vacantes.
El objetivo de este trabajo es estudiar las características del Ge amorfo desde un
punto de vista atomístico y analizar el efecto sobre las propiedades de la red de la presencia
de defectos puntuales y extensos, prestando especial atención a los defectos de
vacantes. Para ello se han realizado simulaciones con la técnica de Dinámica Molecular
Clásica. Hemos caracterizado cada átomo de la red en base a distintas propiedades locales
y hemos determinado el mejor criterio para clasificar los átomos con propiedades o
comportamientos similares, e identificar la presencia de defectos en la red amorfa. Se han
introducido defectos puntuales y extensos en distintas concentraciones y se ha estudiado
su efecto sobre las propiedades estructurales y energéticas de la red, y sobre la difusión.
Esta información es de gran utilidad para poder identificar y entender el comportamiento
de los defectos en amorfo y es aplicable a otros materiales semiconductores.
spa
info:eu-repo/semantics/openAccess
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International
[pendiente de asignar]
Simulación de defectos en germanio amorfo
info:eu-repo/semantics/bachelorThesis