2026-04-14T16:03:33Zhttps://uvadoc.uva.es/oai/requestoai:uvadoc.uva.es:10324/26642021-06-18T09:18:28Zcom_10324_38col_10324_787
Encinas Gozalo, Verónica
2013-04-26T14:03:42Z
2013-04-26T14:03:42Z
2013
http://uvadoc.uva.es/handle/10324/2664
En este trabajo se estudian las memorias RAM dinámicas (DRAM), así como la
necesidad de la utilización de dieléctricos de alta permitividad para continuar con el
aumento en la densidad de capacidad de estas memorias DRAM. El aumento de esta
capacidad se puede hacer de varias formas: en nuestro caso se opta por aumentar la
capacidad del condensador aumentando la permitividad dieléctrica del propio
condensador.
Por lo tanto en este trabajo analizamos las ventajas y desventajas de cada una de
estas formas de aumentar la densidad de la capacidad de estas memorias DRAM.
Quedándonos con el aumento de la permitividad dieléctrica del condensador.
El material aislante de estudio para el condensador es el Dióxido de Niobio (Nb2O5),
ya que tiene una alta permitividad dieléctrica. Estas muestras han sido crecidas por
deposición de capas atómicas utilizando como precursor el ozono y con diferentes
temperaturas de recocido. A la muestra estudiada se le aplica un barrido de tensiones y
te va dando el valor de la corriente para cada valor de tensión aplicado. Esto se estudia
para varias temperaturas. Y con los resultados comprobamos qué mecanismo de
conducción es el que se está dando en estas muestras.
spa
info:eu-repo/semantics/openAccess
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/
Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Unported
Ordenadores-Memorias
Utilización de técnicas de medida de corriente para la caracterización eléctrica de estructuras MIM basadas en óxido de niobio
info:eu-repo/semantics/masterThesis