<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><?xml-stylesheet type="text/xsl" href="static/style.xsl"?><OAI-PMH xmlns="http://www.openarchives.org/OAI/2.0/" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xsi:schemaLocation="http://www.openarchives.org/OAI/2.0/ http://www.openarchives.org/OAI/2.0/OAI-PMH.xsd"><responseDate>2026-04-22T22:13:22Z</responseDate><request verb="GetRecord" identifier="oai:uvadoc.uva.es:10324/2664" metadataPrefix="rdf">https://uvadoc.uva.es/oai/request</request><GetRecord><record><header><identifier>oai:uvadoc.uva.es:10324/2664</identifier><datestamp>2021-06-18T09:18:28Z</datestamp><setSpec>com_10324_38</setSpec><setSpec>col_10324_787</setSpec></header><metadata><rdf:RDF xmlns:rdf="http://www.openarchives.org/OAI/2.0/rdf/" xmlns:doc="http://www.lyncode.com/xoai" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xmlns:ds="http://dspace.org/ds/elements/1.1/" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/" xmlns:ow="http://www.ontoweb.org/ontology/1#" xsi:schemaLocation="http://www.openarchives.org/OAI/2.0/rdf/ http://www.openarchives.org/OAI/2.0/rdf.xsd">
<ow:Publication rdf:about="oai:uvadoc.uva.es:10324/2664">
<dc:title>Utilización de técnicas de medida de corriente para la caracterización eléctrica de estructuras MIM basadas en óxido de niobio</dc:title>
<dc:creator>Encinas Gozalo, Verónica</dc:creator>
<dc:contributor>García García, Héctor</dc:contributor>
<dc:contributor>Dueñas Carazo, Salvador</dc:contributor>
<dc:contributor>Universidad de Valladolid. Escuela Técnica Superior de Ingenieros de Telecomunicación</dc:contributor>
<dc:subject>Ordenadores-Memorias</dc:subject>
<dc:description>En este trabajo se estudian las memorias RAM dinámicas (DRAM), así como la&#xd;
necesidad de la utilización de dieléctricos de alta permitividad para continuar con el&#xd;
aumento en la densidad de capacidad de estas memorias DRAM. El aumento de esta&#xd;
capacidad se puede hacer de varias formas: en nuestro caso se opta por aumentar la&#xd;
capacidad del condensador aumentando la permitividad dieléctrica del propio&#xd;
condensador.&#xd;
Por lo tanto en este trabajo analizamos las ventajas y desventajas de cada una de&#xd;
estas formas de aumentar la densidad de la capacidad de estas memorias DRAM.&#xd;
Quedándonos con el aumento de la permitividad dieléctrica del condensador.&#xd;
El material aislante de estudio para el condensador es el Dióxido de Niobio (Nb2O5),&#xd;
ya que tiene una alta permitividad dieléctrica. Estas muestras han sido crecidas por&#xd;
deposición de capas atómicas utilizando como precursor el ozono y con diferentes&#xd;
temperaturas de recocido. A la muestra estudiada se le aplica un barrido de tensiones y&#xd;
te va dando el valor de la corriente para cada valor de tensión aplicado. Esto se estudia&#xd;
para varias temperaturas. Y con los resultados comprobamos qué mecanismo de&#xd;
conducción es el que se está dando en estas muestras.</dc:description>
<dc:date>2013-04-26T14:03:42Z</dc:date>
<dc:date>2013-04-26T14:03:42Z</dc:date>
<dc:date>2013</dc:date>
<dc:type>info:eu-repo/semantics/masterThesis</dc:type>
<dc:identifier>http://uvadoc.uva.es/handle/10324/2664</dc:identifier>
<dc:language>spa</dc:language>
<dc:rights>info:eu-repo/semantics/openAccess</dc:rights>
<dc:rights>http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/</dc:rights>
<dc:rights>Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Unported</dc:rights>
</ow:Publication>
</rdf:RDF></metadata></record></GetRecord></OAI-PMH>