2026-04-28T12:26:16Zhttps://uvadoc.uva.es/oai/requestoai:uvadoc.uva.es:10324/507332021-12-01T21:49:35Zcom_10324_38col_10324_852
Muñoz Velasco, Irene
2021-12-01T08:21:37Z
2021-12-01T08:21:37Z
2021
https://uvadoc.uva.es/handle/10324/50733
La implantación iónica en Si tiene un amplio rango de aplicaciones en el sector tecnológico,
desde microprocesadores hasta células solares. Los simuladores atomísticos existentes
describen correctamente este proceso en el rango de bajas y medias energías de implantación
pero no en el de altas energías. En el presente trabajo, se revisan los modelos que describen
los diversos mecanismos por los que el ion pierde energía a medida que atraviesa el material
blanco para comprender la física que hay detrás, especialmente a altas energías. Para ello,
se analizarán los datos experimentales proporcionados por la empresa Applied Materials y se
evaluarán las diferentes pérdidas energéticas que sufre el ion a lo largo de toda su trayectoria.
Ion implantation in Si has a wide range of applications in the technological sector, from
microprocessors to solar cells. Current simulators describe this process correctly in the range of
low and medium implantation energies but not in the high energy range. In the present work,
we review the models that describe the several mechanisms by which the ion loses energy as
it passes through the target material to understand the physics behind it, especially at high
energies. To do this, the experimental data provided by the company Applied Materials will
be analyzed and the different energy losses suffered by the ion throughout its entire trajectory
will be evaluated.
spa
info:eu-repo/semantics/openAccess
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 Internacional
Modelado atomístico de las implantaciones de alta energía en silicio
info:eu-repo/semantics/bachelorThesis