2026-05-05T10:28:31Zhttps://uvadoc.uva.es/oai/requestoai:uvadoc.uva.es:10324/633092025-01-31T08:06:41Zcom_10324_38col_10324_852
UVaDOC
advisor
Mediavilla Martínez, Irene
advisor
Rodríguez Pérez, Miguel Ángel
author
Fraile Sanz, Armando
editor
Universidad de Valladolid. Facultad de Ciencias
2023-11-29T10:09:53Z
2023-11-29T10:09:53Z
2023
https://uvadoc.uva.es/handle/10324/63309
Los nanohilos semiconductores constituyen una plataforma tecnológica para el desarrollo de nanodispositivos optoelectrónicos, fotónicos, sensores y células solares de última generación.
Además, presentan grandes ventajas con respecto a los semiconductores planares, ya que, debido a sus propiedades ópticas y térmicas, su elevada relación superficie-volumen y la relajación eficaz de las tensiones debidas a la diferencia de parámetros de red permiten hacer heterouniones no permitidas en la tecnología planar. De este modo, se pueden combinar materiales con parámetros de red muy diferentes entre sí, sin la aparición de defectos estructurales, dislocaciones, faltas de apilamiento…, los cuales empeoran la calidad y eficiencia de los dispositivos.
Es muy importante conocer las propiedades de los nanohilos semiconductores debido a su potencial en una amplia gama de aplicaciones tecnológicas, ya que ofrecen características únicas que pueden mejorar el rendimiento de los dispositivos optoelectrónicos.
Una de las propiedades más importantes de los nanohilos es el hecho de que se comportan como antenas ópticas, es decir, son capaces de colectar y amplificar el campo electromagnético en el rango espectral óptico. Esto nos va a permitir la caracterización óptica de nanohilos individuales a pesar de su escaso volumen.
Los estudios de nanohilos semiconductores mediante espectroscopía Raman revelan distintas resonancias asociadas con la forma del nanohilo (diámetro y longitud), y con su estructura y composición.
En particular, en este TFG se estudiarán nanohilos axialmente heteroestructurados de InP/InGaP para su uso como células solares tándem.
Los nanohilos están formados por una célula de InP unida a otra célula de InGaP mediante un diodo túnel; tanto la célula de InP, como la de InGaP, presentan una estructura tipo n-i-p.
Dichas muestras provienen del grupo NanoLund, de la Universidad de Lund (Suecia) y poseen un rendimiento del 15%, récord en nanohilos.
Se estudiarán muestras con diferente concentración de galio (Ga) con el objetivo de
caracterizar los nanohilos, ver diferencias en el perfil de dopado y en la emisión, para lo cual
se hará uso de las espectroscopias micro-Raman (μ-R) y micro-fotoluminiscencia (μ-PL).
spa
Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 Internacional
Estudio de nanohilos semiconductores por espectroscopía microraman y microfotoluminiscencia
info:eu-repo/semantics/bachelorThesis
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URL
https://uvadoc.uva.es/bitstream/10324/63309/1/TFG-G6667.pdf
File
MD5
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1924579
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