2024-03-28T10:30:27Zhttp://uvadoc.uva.es/oai/requestoai:uvadoc.uva.es:10324/382322021-06-30T01:46:01Zcom_10324_38col_10324_852
Aboy Cebrián, María
Santos Tejido, Iván
Caballo Zulueta, Ana
Universidad de Valladolid. Facultad de Ciencias
2019-09-27T11:00:24Z
2019-09-27T11:00:24Z
2019
http://uvadoc.uva.es/handle/10324/38232
El objetivo de este TFG es estudiar a través de simulaciones atomísticas
defectos de intersticiales precursores de los defectos extensos observados experimentalmente
en silicio. Se analizarán en términos de su energía, estructura,
simetría, modos normales de vibración y niveles electrónicos que
introducen en el gap del semiconductor. Para ello se realizará una caracterización
termodinámica de los defectos, que comprende el uso de simulaciones
de dinámica molecular así como el estudio de la entropía vibracional y la
simetría de los defectos, y una caracterización electrónica mediante simulaciones
ab initio. En este trabajo se emplean los códigos de simulación
paralelos LAMMPS, para la ejecución de simulaciones de dinámica molecular,
y VASP, que permite realizar cálculos de tipo ab initio.
Grado en Física
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http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 Internacional
Silicio
Clusters de intersticiales
Defectos
Termodinámica de defectos en semiconductores mediante simulaciones atomísticas: defectos en el plano {111} en Si cristalino
info:eu-repo/semantics/bachelorThesis