RT info:eu-repo/semantics/bachelorThesis
T1 Caracterización de agregados de vacantes en silicio cristalino
A1 Otero Calzada, Fernando
A2 Universidad de Valladolid. Facultad de Ciencias
K1 Silicio cristalino
K1 Simulaciones
K1 Dinámica molecular
AB En este estudio se han utilizado técnicas de simulación MD para reproducir procesos de recocido de Silicio cristalino a altas temperaturas. Estas redes de silicio han sido previamente generadas para contener distintas cantidades de vacantes. En este sentido, los procesos de recocido térmico nos han permitido observar las diferentes estructuras en las que estos grupos de defectos se organizan. Finalmente, hemos caracterizado estas configuraciones encontradas.
YR 2015
FD 2015
LK http://uvadoc.uva.es/handle/10324/14171
UL http://uvadoc.uva.es/handle/10324/14171
LA spa
DS UVaDOC
RD 04-dic-2024