RT info:eu-repo/semantics/bachelorThesis
T1 Estudio de los mecanismos de generación de dañado en SiGe y SiC
A1 Rogel Rodríguez, Diego
A2 Universidad de Valladolid. Facultad de Ciencias
K1 Dinámica molecular clásica
K1 SiGe
K1 SiC
K1 Mecanismos de generación de dañado
AB El objetivo de este trabajo es estudiar los mecanismos de generación de dañado en SiGe ySiC en su fase zinc-blenda desde un punto de vista atomístico. Para ello, se ha desarrollado una metodología de simulaciones de Dinámica Molecular Clásica, en las que se ha empleado un potencial empírico de Tersoff multicomponente para describir la interacción entre átomos. Primero, se hancalculado computacionalmente las constantes elásticas y parámetros de red del Si, C, Ge, SiGe ySiC. Después, se han llevado a cabo diferentes tipos de simulaciones con el objetivo de estudiarlos fenómenos de generación de dañado en dichos semiconductores, a través de la fusión local deregiones en las que se ha depositado una determinada energía cinética. Finalmente, se ha realizadoun análisis de las regiones distorsionadas en las redes atómicas y de las energías involucradas en laformación de las mismas que permite describir los mecanismos de generación de dañado en cadamaterial. Esta información es útil para identificar y comprender el comportamiento de los defectosen SiGe y SiC, y puede ser aplicada para diseñar dispositivos electrónicos funcionales.
YR 2017
FD 2017
LK http://uvadoc.uva.es/handle/10324/25655
UL http://uvadoc.uva.es/handle/10324/25655
LA spa
DS UVaDOC
RD 25-abr-2024