RT info:eu-repo/semantics/bachelorThesis
T1 Análisis de fenómenos de conmutación resistiva unipolares y bipolares
A1 Domínguez López, Luis Antonio
A2 Universidad de Valladolid. Escuela Técnica Superior de Ingenieros de Telecomunicación
K1 Memoria resistiva
K1 Memristor
K1 ReRAM
K1 MIS
AB El fenómeno de conmutación resistiva consiste en el cambio súbito y no volátil de la resistenciaeléctrica de una capa de material dieléctrico, como consecuencia de la aplicación de una tensióno corriente eléctricas. Este fenómeno está siendo objeto de una intensa investigación por suposible aplicación en dispositivos de memoria resistiva (ReRAM), basados en configuracionesmetal-aislante-semiconductor (MIS) y metal-aislante-metal (MIM). En el presente trabajo seestudiará este fenómeno, así como, los equipos y montajes dedicados a este fin.
YR 2017
FD 2017
LK http://uvadoc.uva.es/handle/10324/27556
UL http://uvadoc.uva.es/handle/10324/27556
LA spa
DS UVaDOC
RD 24-nov-2024