RT info:eu-repo/semantics/bachelorThesis
T1 Modelado de SiGe mediante potenciales empíricos
A1 Martín Encinar, Luis
A2 Universidad de Valladolid. Facultad de Ciencias
K1 Potenciales empíricos
K1 Modelado computacional
K1 SiGe
AB El objetivo de este trabajo es valorar la adecuación de diversos potenciales empíricos paramodelar la aleación de silicio y germanio (SiGe), debido a su empleo en la fabricación de dispositivos optoelectrónicos. Las simulaciones se ejecutarán con el software de simulación paralelo LAMMPS, que es un código empleado para modelar sistemas de partículas a escala atómica. En el desarrollo de nuestra investigación, lo primero sería hacer un estudio recopilatorio de los diversos potenciales que nos ofrecen una descripción adecuada para Si y Ge con estructura tipo diamante. Posteriormente determinaremos distintas propiedades fundamentales como el parámetro de red, energía cohesiva, temperatura de fusión, constantes elásticas y ciertas propiedades elásticas (radio de Poisson y los módulos de comprensibilidad y cizalladura) para las distintas parametrizaciones encontradas.Tras este proceso de caracterización del Si y el Ge, seleccionamos los potenciales que mejores resultados aportan en comparación a los valores experimentales.Finalmente se estudia el comportamiento de las distintas superficies tecnológicamente importantes para Si, Ge y SiGe, semiconductor al que está orientado este TFG, para valorar los resultados y su posterior viabilidad.
YR 2018
FD 2018
LK http://uvadoc.uva.es/handle/10324/32035
UL http://uvadoc.uva.es/handle/10324/32035
LA spa
DS UVaDOC
RD 25-abr-2024