RT info:eu-repo/semantics/bachelorThesis
T1 Termodinámica de defectos en semiconductores mediante simulaciones atomísticas: defectos en el plano {111} en Si cristalino
A1 Caballo Zulueta, Ana
A2 Universidad de Valladolid. Facultad de Ciencias
K1 Silicio
K1 Clusters de intersticiales
K1 Defectos
AB El objetivo de este TFG es estudiar a través de simulaciones atomísticasdefectos de intersticiales precursores de los defectos extensos observados experimentalmenteen silicio. Se analizarán en términos de su energía, estructura,simetría, modos normales de vibración y niveles electrónicos queintroducen en el gap del semiconductor. Para ello se realizará una caracterización termodinámica de los defectos, que comprende el uso de simulacionesde dinámica molecular así como el estudio de la entropía vibracional y lasimetría de los defectos, y una caracterización electrónica mediante simulacionesab initio. En este trabajo se emplean los códigos de simulaciónparalelos LAMMPS, para la ejecución de simulaciones de dinámica molecular,y VASP, que permite realizar cálculos de tipo ab initio.
YR 2019
FD 2019
LK http://uvadoc.uva.es/handle/10324/38232
UL http://uvadoc.uva.es/handle/10324/38232
LA spa
DS UVaDOC
RD 26-nov-2024