RT info:eu-repo/semantics/bachelorThesis
T1 Modelado y caracterización del transistor MOSFET: extracción de parámetros
A1 Mallada Morales, Diego
A2 Universidad de Valladolid. Facultad de Ciencias
K1 Mosfet
K1 Extracción de parámetros
K1 Caracterización
K1 Dispositivos electrónicos
AB El desarrollo de tecnologías de la información y su constante crecimiento han llevadoa la necesidad de diseñar y fabricar dispositivos electrónicos cada vez más pequeñosy rápidos. Es por ello por lo que se requieren de modelos y metodologías para laextracción de sus parámetros que sean de utilidad a la hora de fabricar estosdispositivos y los posteriores circuitos integrados. En este trabajo se realizará unarevisión de los modelos más utilizados para el transistor MOSFET así como dealgunos métodos de extracción de parámetros aplicados para este dispositivo.Adicionalmente, se comprobará el uso de estas técnicas mediante la medición deciertos parámetros de un transistor MOSFET.
YR 2020
FD 2020
LK http://uvadoc.uva.es/handle/10324/44669
UL http://uvadoc.uva.es/handle/10324/44669
LA spa
DS UVaDOC
RD 16-ago-2024