RT info:eu-repo/semantics/bachelorThesis
T1 Estudio de los campos de tensión en zonas dañadas por implantación iónica mediante simulaciones atomísticas
A1 Herguedas Alonso, Alicia Estela
A2 Universidad de Valladolid. Facultad de Ciencias
K1 Implantación iónica
K1 Simulaciones atomísticas
AB En este Trabajo Fin de Grado se ha estudiado el dañado producido en la implantación iónica de átomos de silicio en un sustrato de silicio mediante el desarrollode un método para analizar el strain generado. Empleando el método de DinámicaMolecular Clásica con un potencial que permita describir tanto las interacciones aalta energía como las propiedades del silicio en reposo, se han realizado simulacionesde este proceso a bajas energías (1 keV) mediante LAMMPS. Se han desarrolladoprogramas de análisis para calcular funciones de distribución radial e histogramas apartir de los resultados de las simulaciones, con el objetivo de buscar correlacionesentre las diversas magnitudes analizadas.
YR 2020
FD 2020
LK http://uvadoc.uva.es/handle/10324/44914
UL http://uvadoc.uva.es/handle/10324/44914
LA spa
DS UVaDOC
RD 24-nov-2024