RT info:eu-repo/semantics/bachelorThesis
T1 Estudio de la interacción luz/nanohilos semiconductores
A1 García Montoya, Celia
A2 Universidad de Valladolid. Facultad de Ciencias
K1 Nanohilos
K1 NWs
K1 Sustrato de Si
K1 Espectroscopia Raman
AB A mediados del siglo pasado empezó el interés sobre las propiedades de las estructuras con dimensión nanométrica —al menos una de las dimensiones estudiadas se encuentra entre 1 y 100 nanómetros— en este orden de magnitud, se observan cambios substanciales en las propiedades físicas de la materia, y más en concreto de los semiconductores. A partir de las técnicas de crecimiento que se han ido desarrollando se pueden conseguir objetos de dimensión nanométrica con formas diversas, esto abre la puerta al desarrollo de nanodispositivos con nuevas funcionalidades.Uno de los cuellos de botella para el estudio de las propiedades ópticas a escala nanométrica, es la resolución espacial de la microscopía óptica, limitada inferiormente por la difracción a dimensiones del orden de la longitud de onda. Sabiendo que las nanoestructuras se comportan como antenas ópticas, vamos a explorar como podemos utilizar nanohilos depositados sobre una superficie para estudiar dicha superficie, mediante un microscopio óptico, alcanzando resoluciones por debajo del límite de difracción.En este trabajo utilizamos nanohilos (NWs) de GaAs sobre un sustrato de Si. La interacción luz/NW presenta una serie de resonancias de diámetro y longitud de onda que provocan la amplificación del campo eléctrico en los NWs superando el obstáculo del límite de difracción. Esto nos permite observar la resonancia de la señal Raman del Si en presencia del nanohilo de GaAs. La espectroscopia Raman es una herramienta útil en este caso ya que nos proporciona tanto el valor del desplazamiento Raman, que nos permite conocer el material que estamos estudiando así como la intensidad Raman que es proporcional al cuadrado del campo electromagnético y, por consiguiente, nos aportará información sobre la distribución del mismo, facilitándonos una imagen de la superficie —que no podríamos haber obtenido sin la amplificación causada por el nanohilo—, más en concreto, se observa cómo actúa la presencia del nanohilo sobre el campo electromagnético en el substrato.Para este estudio, se ha medido la respuesta del sustrato de Si frente a la excitación con un haz láser en presencia de NWs de GaAs de diferentes diámetros. Los resultados obtenidos muestran que la distribución del campo electromagnético sobre el sustrato de Si depende del diámetro de los NWs; la intensidad puede verse aumentada, reducida o mantenerse invariante con respecto a la respuesta del Si en ausencia de NWs. La variación que se observa en la intensidad del sustrato nos proporcionará información acerca de la interacción entre el haz láser y el sistema NW/Substrato gracias a la proporcionalidad existente entre la intensidad y el cuadra del campo electromagnético.
YR 2020
FD 2020
LK http://uvadoc.uva.es/handle/10324/44923
UL http://uvadoc.uva.es/handle/10324/44923
LA spa
DS UVaDOC
RD 15-ene-2025