RT info:eu-repo/semantics/bachelorThesis
T1 Modelado atomístico de las implantaciones de alta energía en silicio
A1 Muñoz Velasco, Irene
A2 Universidad de Valladolid. Facultad de Ciencias
K1 Irradiación
K1 Implantación iónica
K1 Altas energías
AB La implantación iónica en Si tiene un amplio rango de aplicaciones en el sector tecnológico,desde microprocesadores hasta células solares. Los simuladores atomísticos existentesdescriben correctamente este proceso en el rango de bajas y medias energías de implantaciónpero no en el de altas energías. En el presente trabajo, se revisan los modelos que describenlos diversos mecanismos por los que el ion pierde energía a medida que atraviesa el materialblanco para comprender la física que hay detrás, especialmente a altas energías. Para ello,se analizarán los datos experimentales proporcionados por la empresa Applied Materials y seevaluarán las diferentes pérdidas energéticas que sufre el ion a lo largo de toda su trayectoria.
YR 2021
FD 2021
LK https://uvadoc.uva.es/handle/10324/50733
UL https://uvadoc.uva.es/handle/10324/50733
LA spa
NO Departamento de Electricidad y Electrónica
DS UVaDOC
RD 11-jul-2024