RT info:eu-repo/semantics/bachelorThesis
T1 Bismuth vanadate, bismuth oxyiodide and bismuth  oxybromide thin films growth via Aerosol-Assisted  CVD as the main process and their  photoelectrochemical properties
A1 Vicente Matas, Javier
A2 Universidad de Valladolid. Escuela de Ingenierías Industriales
K1 AACVD
K1 BiVO4 BiOi BiOBr
K1 División de agua fotoelectroquímica
K1 Fotoelectrodo
K1 Dispositivos PEC
K1 3303 Ingeniería y Tecnología Químicas
AB Este trabajo propone la síntesis de fotoelectrodos de vanadato de bismuto (BiVO4), óxido de bromuro de bismuto (BiOBr) y óxido de yoduro de bismuto (BiOI) en sustratos de flúor dopado de vidrio de óxido de estaño (FTO) a través de un proceso AACVD de una etapa o un proceso AACVD de dos etapas para su utilización en PEC devices. Los fotoelectrodos se caracterizan por difracción de rayos X (XRD), Raman espectroscopía (RS), espectroscopía UV-VIS y Microscopia electrónica de rastreo (SEM). Las propiedades fotoelectroquímicas (PEC) de los fotoelectrodos se estudiaron en Na2SO4acuoso 0.5 M y muestran que el mejor valor fue el BiOI depositado durante 5 horas y 350 ºC (1,1 mA cm-2 a 1,23 V vs RHE). Aunque el objetivo inicial era obtener BiVO4, tanto en el proceso de dos pasos como en el de un paso se obtuvieron valores inferiores con respecto a la deposición de BiOI. En el proceso de dos pasos, el mejor valor fue la deposición para 5h y 350 ºC (0.7 mA cm-2 a 1.23V vs RHE). En el proceso de un solo paso, la mala adhesión con el FTO produjo valores bajos.
YR 2022
FD 2022
LK https://uvadoc.uva.es/handle/10324/52339
UL https://uvadoc.uva.es/handle/10324/52339
LA eng
NO Departamento de Ingeniería Química y Tecnología del Medio Ambiente
DS UVaDOC
RD 19-sep-2024