RT info:eu-repo/semantics/bachelorThesis
T1 Estudio de la influencia de la temperatura sobre los mecanismos de conmutación resistiva en estructuras RRAM de óxido de Hafnio
A1 Boo Alvarez, Jonathan
A2 Universidad de Valladolid. Facultad de Ciencias
K1 Resistive switching
K1 RRAM
K1 Conmutación
AB Debido a la necesidad de nuevas tecnologías en el ámbito de la computación, el almacenamientode datos o el desarrollo de inteligencias artificiales, los memristores se han postuladocomo uno de los dispositivos de mayor relevancia en el futuro, ya que comparten una combinación de características muy útiles para estas aplicaciones, como son la gran similitud queposeen con las sinapsis neuronales y la gran utilidad del mecanismo de funcionamiento queposeen. En primer lugar, haremos una descripción de como funciona el resistive switching,los materiales utilizados y los mecanismos que provocan el switching. En este documento noscentraremos en el estudio de un dispositivo TiN=T i=10nm - HfO2=W y la dependencia desus características con la temperatura durante el resistive switching. En último lugar haremosuna breve review sobre las posibles aplicaciones de este tipo de memristores.
YR 2021
FD 2021
LK https://uvadoc.uva.es/handle/10324/58310
UL https://uvadoc.uva.es/handle/10324/58310
LA spa
NO Departamento de Electricidad y Electrónica
DS UVaDOC
RD 13-mar-2025