RT info:eu-repo/semantics/bachelorThesis
T1 Técnicas ópticas de caracterización de semiconductores: Microscopía Raman y Fotoluminiscencia. Aplicación a nuevos óxidos para aplicaciones optoelectrónicas
A1 Val de la Fuente, Teresa del
A2 Universidad de Valladolid. Facultad de Ciencias
K1 Semiconductores
K1 Espectroscopía Raman
K1 Fotoluminiscencia
AB Los últimos avances en la industria optoelectrónica han llevado a la aparición de nuevasgeneraciones de semiconductores, siendo las últimas las de los semiconductores de energíade gap grande, como el ZnO, y ultra grande, como el Ga2O3. Es importante conocer lascaracterísticas de estos materiales para poder utilizarlos tecnológicamente. De entre lasdistintas técnicas de caracterización de materiales, en este TFG nos hemos centrado enla espectroscopía Raman y la Fotoluminiscencia. Se ha pretendido comprender las basesconceptuales de ambas técnicas y las partes que componen un equipo micro-Raman/micro-PL, así como las posibilidades de ambas técnicas para la caracterización de diferentessemiconductores de gap grande y ultra grande. En primer lugar, usamos estas técnicasespectroscópicas para caracterizar a semiconductores bien conocidos como el Si, el GaAs,el AlGaAs y el GaN; y posteriormente para realizar un breve estudio de tres óxidossemiconductores de gap grande y ultra grande, el ZnO, el MgZnO y el Ga2O3.
YR 2023
FD 2023
LK https://uvadoc.uva.es/handle/10324/63231
UL https://uvadoc.uva.es/handle/10324/63231
LA spa
NO Departamento de Física de la Materia Condensada, Cristalografía y Mineralogía
DS UVaDOC
RD 07-ago-2024