RT info:eu-repo/semantics/bachelorThesis
T1 Caracterización del dañado producido por protones de alta energía en silicio
A1 Armenteros Cosme, Pablo
A2 Universidad de Valladolid. Facultad de Ciencias
K1 Irradiación
K1 Silicio
K1 Protones
AB Los dispositivos electrónicos se ven expuestos a radiación de alta energía durante los procesostecnológicos de fabricación (implantación iónica de dopantes) o bien al trabajar en entornos conradiación en el ambiente. Existen múltiples aplicaciones en las que los dispositivos deben soportarradiación de partículas energéticas ligeras. La electrónica embebida en aplicaciones aeroespaciales seve sometida a la radiación cósmica, tanto galáctica (procedente de los restos de supernovas lejanas)como solar. El campo magnético de la Tierra nos protege en gran parte de estos rayos cósmicos,pero la tecnología presente en el espacio exterior carece de esta protección, viéndose mucho másexpuesta a radiaciones muy energéticas.
YR 2022
FD 2022
LK https://uvadoc.uva.es/handle/10324/63283
UL https://uvadoc.uva.es/handle/10324/63283
LA spa
NO Departamento de Electricidad y Electrónica
DS UVaDOC
RD 17-jul-2024