RT info:eu-repo/semantics/bachelorThesis
T1 Estudio de familias lógicas multinivel basadas en materiales y dispositivos memristivos
A1 Aparicio Merino, Javier
A2 Universidad de Valladolid. Facultad de Ciencias
K1 Memristor
K1 RRAM
K1 Lógica multinivel
K1 Memorias no volátiles
AB Durante los últimos 20 años se ha observado un crecimiento emergente de las tecnologías basadas en memristores para reemplazar o complementar a las memorias flash y RAM que se utilizan extensivamente hoy en día. En un memristor, o memoria resistiva, la resistencia es una variable que puede ser modificada mediante pulsos eléctricos adecuados. Estos dispositivos ofrecen también la posibilidad de diseñar funciones lógicas multinivel con propiedades, integración, consumo y velocidad muy superiores a los circuitos lógicos binarios convencionales. En este trabajo de fin de grado se persiguen dos objetivos principales: realizar una actualización documental del estado del arte de la lógica multinivel basada en memristores; diseñar ysimular celdas lógicas combinacionales multi-nivel a partir de dispositivos reales fabricados para y medidos por el Grupo de Caracterización de Materiales y Dispositivos Electrónicos (GCME). Los datos experimentales ya disponibles serán utilizados para la simulación de las celdas lógicas.
YR 2024
FD 2024
LK https://uvadoc.uva.es/handle/10324/70925
UL https://uvadoc.uva.es/handle/10324/70925
LA spa
NO Departamento de Electricidad y Electrónica
DS UVaDOC
RD 03-mar-2025