RT info:eu-repo/semantics/bachelorThesis
T1 Caracterización mediante espectroscopía micro-Raman y micro-Fotoluminiscencia de semiconductores en forma de capa delgada para optoelectrónica
A1 Barrocal Fiz, Pablo
A2 Universidad de Valladolid. Facultad de Ciencias
K1 Semiconductores
K1 Capa delga
K1 Micro-Raman
K1 Micro-PL
AB En este trabajo de fin de grado se ha realizado una caracterización bidimensional mediante mapeo micro-Raman y micro-PL de capas delgadas semiconductoras. Se han revisado los fundamentosde diferentes tecnicas de deposición epitaxial como son MBE, MOCVD así como otras técnicas de creciemiento de películas delgadas como sol-gel. Tambien se han revisado los fundamentos físicos de las tecnicas micro-Raman y micro-Fotoluminiscencia (micro-PL), los parámetros que se pueden estudiar con ellas y los aspectos tecnicos a tener en cuenta en las medidas. Finalmente se ha analizado el mapeo Raman y de PL de tres muestras semiconductoras depositadas en forma decapa delgada: InGaP crecido sobre GaAs mediante MOCVD, GaAs sobre Si mediante crecimientolateral con MBE y MOCVD y TiZnVO mediante sol-gel.
YR 2023
FD 2023
LK https://uvadoc.uva.es/handle/10324/70930
UL https://uvadoc.uva.es/handle/10324/70930
LA spa
NO Departamento de Física de la Materia Condensada, Cristalografía y Mineralogía
DS UVaDOC
RD 24-nov-2024