RT info:eu-repo/semantics/masterThesis
T1 Estudio de los mecanismos de conducción presentes en estructuras RRAM de óxido de hafnio
A1 Boo Alvarez, Jonathan
A2 Universidad de Valladolid. Facultad de Ciencias
K1 Resistive switching
K1 Óxido de hafnio
AB Debido a que estamos cada vez más cerca de alcanzar el límite tecnológico en el ámbito de lacomputación (con la tecnología actual de transistores), se han explorado otras tecnologías, entrelas que destacan los memristores o memorias resistivas (RRAM), las cuales poseen una seriede características muy útiles para su aplicación en computación neuromórfica. En este trabajoanalizaremos en profundidad los mecanismos de conducción subyacentes al fenómeno de resistiveswitching. Para ello, caracterizaremos una muestra TiN/Ti/10nm – HfO2/W en un gran rangode temperaturas, analizando la dependencia de la corriente que atraviesa el dispositivo con elvoltaje aplicado y con la temperatura.
YR 2024
FD 2024
LK https://uvadoc.uva.es/handle/10324/71181
UL https://uvadoc.uva.es/handle/10324/71181
LA spa
NO Departamento de Electricidad y Electrónica
DS UVaDOC
RD 22-ene-2025