RT info:eu-repo/semantics/bachelorThesis
T1 Modelado computacional de defectos en materiales de interés en tecnología electrónica
A1 Páez Olmedo, Mario
A2 Universidad de Valladolid. Facultad de Ciencias
K1 Simulaciones atomísticas
K1 Diamante
K1 Defectos
AB En este TFG realizamos un modelado computacional de defectos en materiales deinterés en tecnología electrónica, centrándonos en el diamante. Para ello, realizamos unestudio comparativo de potenciales interatómicos que describen, mediante simulaciones de dinámica molecular, las propiedades de este material. Tras encontrar un potencial adecuado, realizamos una caracterización termodinámica de defectos intrínsecosdel diamante. Obtenemos la energía de formación de cada defecto, el volumen de formación, las entropías configuracional y vibracional, y finalmente la energía libre deGibbs.
YR 2025
FD 2025
LK https://uvadoc.uva.es/handle/10324/78777
UL https://uvadoc.uva.es/handle/10324/78777
LA spa
NO Departamento de Electricidad y Electrónica
DS UVaDOC
RD 19-oct-2025